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经营范围
发明名称
半导体装置及保护电路
摘要
在一输入/输出端子I/O之保护电路中,系包含三种型式的PNP双极电晶体。在一第一PNP型双极电晶体10A中,其射极系连接到输入/输出端子I/O,其基极系连接到一高电位电源端子VDD,及其集极系连接到一低电位电源端子VSS。在一第二PNP型双极电晶体10B中,其射极系连接到输入/输出端子I/O,及其基极和集极系连接到高电位电源端子VDD。在一第三PNP型双极电晶体10C中,其射极系连接到低电位电源端子VSS,及其基极和集极系连接到高电位电源端子VDD。
申请公布号
TW200818447
申请公布日期
2008.04.16
申请号
TW096124429
申请日期
2007.07.05
申请人
NEC电子股份有限公司
发明人
高桥幸雄
分类号
H01L23/60(2006.01)
主分类号
H01L23/60(2006.01)
代理机构
代理人
周良谋;周良吉
主权项
地址
日本
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