发明名称 半导体装置及保护电路
摘要 在一输入/输出端子I/O之保护电路中,系包含三种型式的PNP双极电晶体。在一第一PNP型双极电晶体10A中,其射极系连接到输入/输出端子I/O,其基极系连接到一高电位电源端子VDD,及其集极系连接到一低电位电源端子VSS。在一第二PNP型双极电晶体10B中,其射极系连接到输入/输出端子I/O,及其基极和集极系连接到高电位电源端子VDD。在一第三PNP型双极电晶体10C中,其射极系连接到低电位电源端子VSS,及其基极和集极系连接到高电位电源端子VDD。
申请公布号 TW200818447 申请公布日期 2008.04.16
申请号 TW096124429 申请日期 2007.07.05
申请人 NEC电子股份有限公司 发明人 高桥幸雄
分类号 H01L23/60(2006.01) 主分类号 H01L23/60(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本