一种新型晶体硅太阳电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种新型晶体硅太阳电池，结构由上而下包括正电极、减反射钝化层、发射极、硅基体、铝背场和背电极，减反射钝化层由非晶硅钝化层和透明导电薄膜组成，非晶硅钝化层作为发射极钝化层，透明导电薄膜作为减反射层，正电极由2～5根主栅线或2～5根主栅线加均匀分布的细栅线组成，该新型晶体硅太阳电池电池的结构由上而下依次为：正电极、透明导电薄膜、非晶硅钝化层、发射极、硅基体、铝背场、背电极。还公开了上述新型晶体硅太阳电池的制备方法。该新型晶体硅太阳电池，可降低前表面复合速率，获得更好的钝化效果，提高电池的开路电压；能降低表面反射率，提供导电性能；还可以降低银浆用量，减少正电极遮光面积，提高短路电流。

主权项

一种新型晶体硅太阳电池，其结构由上而下包括正电极、减反射钝化层、发射极、硅基体、铝背场和背电极，其特征是：所述减反射钝化层由非晶硅钝化层和透明导电薄膜组成，其中非晶硅钝化层作为发射极钝化层，透明导电薄膜作为减反射层，所述正电极由2～5根主栅线或2～5根主栅线加均匀分布的细栅线组成，该新型晶体硅太阳电池电池的结构由上而下依次为：正电极、透明导电薄膜、非晶硅钝化层、发射极、硅基体、铝背场、背电极。