| 发明名称 | 一种薄膜晶体管和阵列基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管和阵列基板及其制造方法。本发明的薄膜晶体管包括基板和依次覆盖在基板上的栅极、栅极绝缘层、半导体层、保护层、欧姆接触层、源电极和漏电极，其中，半导体层上方的保护层有两个过孔，过孔处的半导体层覆盖有欧姆接触层；所述源电极和漏电极通过过孔处的欧姆接触层与所述半导体层连接。本发明中的源电极和漏电极通过保护层上的过孔与半导体层连接，因此在对沟道区的欧姆接触层进行过刻时不会触及半导体层，这样就可以减小半导体层的厚度，从而提高薄膜晶体管的开关特性。本发明的阵列基板包括上述薄膜晶体管，具备上述优点；而通过本发明的阵列基板制造方法制造的阵列基板，也具备上述优点。 | ||
| 申请公布号 | CN103489918A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201210189705.3 | 申请日期 | 2012.06.08 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 孙双 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 韩国胜 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括基板和依次覆盖在基板上的栅极、栅极绝缘层、半导体层、保护层、欧姆接触层、源电极和漏电极，其特征在于，半导体层上方的保护层有两个过孔，过孔处的半导体层覆盖有欧姆接触层；所述源电极和漏电极通过过孔处的欧姆接触层与所述半导体层连接。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||