| 发明名称 | 发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种发光二极管及其制造方法，发光二极管不包含P型氮化镓层。此发光二极管依序包含N型半导体层、多重量子井层、P型氮化铟镓(InGaN)层以及氧化铟锡层。氧化铟锡层的晶粒尺寸介于5埃至1000埃间。 | ||
| 申请公布号 | CN103489981A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201210410261.1 | 申请日期 | 2012.10.24 |
| 申请人 | 隆达电子股份有限公司 | 发明人 | 余长治;唐修穆;林孟毅 |
| 分类号 | H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/38(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国 |
| 主权项 | 一种发光二极管，其特征在于，包含：一N型半导体层，设置于一基板上；一多重量子井层，设置于该N型半导体层上；一P型氮化铟镓层，设置于该多重量子井层上；以及一氧化铟锡层，设置于该P型氮化铟镓层上，该氧化铟锡层的晶粒尺寸介于5埃至1000埃间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学园区工业东三路3号 | ||