一种提高GaAs衬底AlGaInP四元单面双电极发光二极管亮度的方法

摘要

本发明涉及一种提高GaAs衬底AlGaInP四元单面双电极发光二极管亮度的方法，本发明将氧化后的DBR层、电极结构化、高电流扩展和同面双电极等多种技术相融合，避免了LED断路或半断路现象，使之成为具有高反射、无焦耳热的高亮度同面双电极发光二级管。在本发明所述的高亮发光二级管芯片的外延生长、电极制作步骤完成后，对芯片半切，最后对芯片进行一次氧化，改变DBR层导电性，使之成为绝缘层，大大提高反射率，消除因产生焦耳热、散射等引起的损耗，实现100%的出光效率。

主权项

一种提高GaAs衬底AlGaInP四元单面双电极发光二极管亮度的方法，其特征在于，其包括步骤如下：（1）采用MOCVD法依次在GaAs衬底上制备GaAs层、DBR层、N型AlGaIn层、量子阱有源区、P型AlGaIn层和GaP层，在GaP层上制有P电极，在N型AlGaIn层上制有台面，在所述台面上制有N电极，制成发光二极管；（2）将步骤（1）所述发光二极管沿DBR层的上表层进行半切，半切深度范围是：20‑40μm；将所述的发光二极管沿DBR层的上表层进行半切，实现了对所述发光二极管的水平环切，使所述DBR层的上表面与所述N型AlGaIn层形成缝隙，为后续的氧化做准备；（3）将步骤（2）中经半切后的发光二极管置于氧化炉内进行氧化，氧化时间为20‑30min，所述氧化炉内的温度为300‑500℃；所述氧化炉内的湿度大于或等于85%RH；（4）对经步骤（3）处理后的发光二极管用去离子水冲洗，随后用N2将发光二极管吹干；（5）对经步骤（4）处理后的发光二极管进行封装，制成AlGaInP四元单面双电极高亮发光二极管。