半导体基板处理系统

摘要

本发明提供用于处理基板的设备。在一些实施方式中，处理系统可包括第一移送腔室和耦接至移送腔室的第一处理腔室，处理腔室进一步包含：基板支撑件，所述基板支撑件用于支撑位于处理腔室内的基板的处理表面；喷射器，所述喷射器安置于基板支撑件的第一侧且具有提供第一处理气体的第一流动路径和提供独立于第一处理气体的第二处理气体的第二流动路径，其中喷射器提供第一处理气体和第二处理气体遍及基板的处理表面；喷淋头，所述喷淋头安置于基板支撑件上方，以提供第一处理气体至处理表面；及排气口，所述排气口安置至基板支撑件的第二侧，与喷射器相对，以从处理腔室排出第一处理气体和第二处理气体。

主权项

一种处理系统，包含：第一移送腔室，所述第一移送腔室能够移送基板至耦接至所述第一移送腔室的一个或更多个处理腔室或从所述一个或更多个处理腔室接收基板；及第一处理腔室，所述第一处理腔室用以沉积一个或更多个III‑V族材料，所述第一处理腔室耦接至所述移送腔室，所述第一处理腔室进一步包含：基板支撑件，所述基板支撑件安置于所述处理腔室中以支撑位于所述处理腔室中所需位置的基板的处理表面；喷射器，所述喷射器安置至所述基板支撑件的第一侧且具有提供第一处理气体的第一流动路径和提供独立于所述第一处理气体的第二处理气体的第二流动路径，其中所述喷射器被放置以提供所述第一处理气体和所述第二处理气体遍及所述基板的所述处理表面；排气口，所述排气口安置至所述基板支撑件的第二侧，与所述喷射器相对，以从所述处理腔室排出所述第一处理气体和所述第二处理气体；及以下部件之一或更多：喷淋头，所述喷淋头安置于所述基板支撑件上方以提供所述第一处理气体至所述基板的所述处理表面；或第一气源和第二气源，所述第一气源耦接至所述喷射器以提供所述第一处理气体，其中所述第一处理气体包含第III族元素，所述第二气源耦接至所述喷射器以提供所述第二处理气体，其中所述第二处理气体包含第V族元素。