发明名称 基于压印技术的互连方法
摘要 本发明公开了一种基于压印技术的互连方法,该方法包括:采用模具对聚合物层进行压印,在所述聚合物层中形成沟槽;对所述聚合物层进行石墨化处理,石墨化处理后的聚合物层为石墨层;在所述模具的表面涂覆一层粘合剂,将模具下压至所述石墨层中,然后从石墨层中移出模具,如此多次重复执行直至石墨层中所述沟槽底部的石墨被完全去除而形成通孔;形成介质层,所述介质层填充于所述通孔中,并覆盖在所述石墨层的表面,然后采用化学机械研磨工艺CMP将所述介质层抛光至所述石墨层的表面。采用本发明公开的方法能够降低制作互连线的成本。
申请公布号 CN102569169B 申请公布日期 2014.01.01
申请号 CN201010609581.0 申请日期 2010.12.28
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 发明人 尹晓明;张海洋;王新鹏
分类号 H01L21/768(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人 牛峥;王丽琴
主权项 一种基于压印技术的互连方法,该方法包括:采用模具对聚合物层进行压印,在所述聚合物层中形成沟槽;对所述聚合物层进行石墨化处理,石墨化处理后的聚合物层为石墨层;在所述模具的表面涂覆一层粘合剂,将模具下压至所述石墨层中,然后从石墨层中移出模具,如此多次重复执行直至石墨层中所述沟槽底部的石墨被完全去除而形成通孔;形成介质层,所述介质层填充于所述通孔中,并覆盖在所述石墨层的表面,然后采用化学机械研磨工艺CMP将所述介质层抛光至所述石墨层的表面;所述聚合物层的主要成分为下列之一或下列任意几个:聚恶二唑polyoxadiazole、聚苯并噻唑polybenzothiazole、聚苯并二噻唑polybenzobisthiazole、聚苯并恶唑polybenzoxazole、聚酰亚胺polyimide、聚酰胺polyamide、聚亚苯苯并咪唑polyphenylenebenzimidazole、聚噻唑polythiazole、聚对苯乙撑polyparaphenylenevinylene。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
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