发明名称 SEMICONDUCTOR HALL ELEMENT WITH A PARALLEL AXIS OF SENSITIVITY
摘要 <p>Полупроводниковият елемент на Хол с паралелна ос на чувствителност съдържа полупроводникова подложка (1) с примесен тип проводимост, върху едната страна на която са формирани последователно три правоъгълни омични контакта - първи (2), втори (3) и трети (4), разположени успоредно на дългите си страни. Първият (2) и третият (4) контакт са крайни, а вторият (3) е вътрешен. Магнитното поле (8) е приложено перпендикулярно на напречното сечение на подложката (1). Вторият контакт (3) и един от крайните контакти (4) през съответни товарни резистори (5 и 6) и източник на напрежение (7) са съединени с другия краен контакт (2). Изходът (9) е вторият (3) и крайният контакт (4), който е свързан с товарен резистор (6).</p>
申请公布号 BG66404(B1) 申请公布日期 2013.12.31
申请号 BG20090110505 申请日期 2009.10.27
申请人 INSTITOUT PO OUPRAVLENIE I SISTEMNI IZSLEDVANIYA PRI BAN 发明人 LOZANOVA SIYA;ROUMENIN CHAVDAR
分类号 H01L43/06;G01R33/06 主分类号 H01L43/06
代理机构 代理人
主权项
地址