| 发明名称 |
Selective wet etching of hafnium aluminum oxide films |
| 摘要 |
Methods and etchant compositions for wet etching to selectively remove a hafnium aluminum oxide (HfAlOx) material relative to silicon oxide (SiOx) are provided. |
| 申请公布号 |
US8618000(B2) |
申请公布日期 |
2013.12.31 |
| 申请号 |
US201213585072 |
申请日期 |
2012.08.14 |
| 申请人 |
RAGHU PRASHANT;YANG YI;MICRON TECHNOLOGY, INC. |
发明人 |
RAGHU PRASHANT;YANG YI |
| 分类号 |
H01L21/302 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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