| 摘要 |
本发明所揭露之记忆胞包含一记忆胞层具有一第一介电层于该底电极层之上、一第二介电层于该第一介电层之上、及一顶电极于该第二介电层之上。该些介电层定义一介层孔，具有一第一部分由该第一介电层及该底电极所限定，及一第二部分由该第二介电层及该顶电极所限定。一记忆元件于该介层孔内，与该顶电极及该底电极电性连接。该介层孔的该第一及第二部分分别包含一狭隘、能量集中区域部分及一放大部分。该狭隘部分可以具有一宽度，其小于用来形成该介层孔的该放大部分所用之一微影制程最小特征尺寸。本发明亦揭露一种制造一记忆胞的方法。 |
