| 主权项 |
1.一种半导体研磨清洁装置，系应用于化学机械研磨(Chemical Mechanical Planarization,CMP)制程中，该半导体研磨清洁装置接触一晶圆的表面，以清洁该晶圆平坦研磨中的表面，而该半导体研磨清洁装置包含有：一连接座体；以及三个刷头元件，系间隔地设置于所述连接座体上，且该三个刷头元件皆位于同一平面并接触该晶圆的表面，其中设置于所述连接座体上的该三个刷头元件呈现出十字形方向排列。2.如申请专利范围第1项所述之半导体研磨清洁装置，其中二个刷头元件接合于所述连接座体的两端，而剩余一个刷头元件接合于所述连接座体上并位于所述连接座体两端之间。3.如申请专利范围第2项所述之半导体研磨清洁装置，其中接合于所述连接座体两端的刷头元件之排列方向垂直于位于所述连接座体两端之间的刷头元件之排列方向，以呈现出十字形方向排列。4.如申请专利范围第1项所述之半导体研磨清洁装置，其中所述刷头元件系以「一体成型」或「单独设置并彼此连接」的方式连接于所述连接座体上。5.如申请专利范围第1项所述之半导体研磨清洁装置，其中所述连接座体设有三连接部，而所述连接部分别对应所述刷头元件，且所述连接部接合所述刷头元件。6.如申请专利范围第5项所述之半导体研磨清洁装置，其中所述刷头元件包括有一本体与一液体输入单元，而该液体输入单元连接于该本体与所述连接部之间。7.如申请专利范围第6项所述之半导体研磨清洁装置，其中所述本体接触该晶圆的一面凸设有一刮刷单元，且所述刮刷单元接触该晶圆，以清洁该晶圆的表面。8.如申请专利范围第7项所述之半导体研磨清洁装置，其中所述刮刷单元由橡胶(Rubber)、化学机械抛光垫材料(CMP pad material)或化学机械研磨后清洁晶圆用的清洁刷材料(CMP brush material)所制造而成。9.如申请专利范围第7项所述之半导体研磨清洁装置，其中该本体设有该刮刷单元的一面进一步开设有至少一液体喷出口，所述液体喷出口位于所述刮刷单元旁，且所述液体喷出口喷出一清洁液。10.如申请专利范围第9项所述之半导体研磨清洁装置，其中所述清洁液为去离子水(DI Water)、去离子水蒸气或任何具有化学清洁添加物之溶剂。11.如申请专利范围第9项所述之半导体研磨清洁装置，其中所述液体喷出口之形状为圆形样式、狭缝形样式(Narrow Line Type)或任意形状。12.如申请专利范围第1项所述之半导体研磨清洁装置，其中该晶圆尺寸为150mm、200mm、300mm或450mm。图式简单说明：第一图系为本创作之半导体研磨清洁装置之立体结构示意图。第二图系为本创作之半导体研磨清洁装置之侧视示意图。第三图系为本创作之半导体研磨清洁装置之仰视示意图。第四图系为化学机械研磨制程循环渐进研磨清洁平坦化方法之步骤流程示意图。 |
