| 摘要 |
<p>Procédé de réalisation d'un composant (300) ayant un contact traversant (110) consistant à utiliser un substrat semi-conducteur (100) ayant un côté avant (101) et un côté arrière (102), à réaliser une tranchée (121) isolation entourant à une zone de contact (103) dans le côté avant (101) à remplir la tranchée (121) avec une matière isolante (122), à réaliser une structure de contact (130) sur le côté avant (101) en déposant une matière électro-conductrice, à enlever la matière semiconductrice (104) restant dans la zone de contact (103) du côté arrière (102) du substrat (100) pour réaliser un trou de contact (111) dégageant le côté inférieur (134) de la structure de contact (130) et déposer une matière métallique (114) dans le trou ce contact (111).</p> |
