Composition of Selective Etching solutions For Silicon Oxide Film
摘要
<p>본 발명은, 반도체 제조 공정에 있어서 웨이퍼 상에 실리콘 산화막과 질화막 또는 티탄나이트라이드막이 동시에 노출되는 경우에 사용되는 실리콘 산화막의 선택적 에칭용 조성물로서, 조성물 총 중량에 대하여, 불화암모늄(NHF) 1 내지 40 중량%, 유기산 1 내지 60중량%, 및 잔량의 물을 포함하는 에칭액 조성물에 관한 것이다.</p>
