Composition of Selective Etching solutions For Silicon Oxide Film
摘要
<p>본 발명은 반도체 제조 공정에 있어서, 웨이퍼 상에 실리콘 산화막과 질화막 또는 티탄나이트라이드막이 동시에 노출되는 경우에 실리콘 산화막을 선택적으로 에칭하는 조성물로서, 조성물 총 중량에 대하여, 불화암모늄(NHF) 1 내지 40중량%, 불산을 제외한 무기산 1 내지 20중량%, 및 잔량의 물을 포함하는 에칭액 조성물에 관한 것이다.</p>
