| 摘要 |
차광성막의 패터닝의 해상성을 높인다. 화학 증폭형 레지스트막(20)이 형성되는 마스크 블랭크(10)로서, 기판(12)과, 기판(12) 위에 형성된 차광성막(13)과, 화학 증폭형 레지스트막(20)의 실활을 억제하기 위해 차광성막(13) 위에 형성된 레지스트 기초막(18)을 구비하고, 패터닝된 화학 증폭형 레지스트막(20)을 마스크로 하여 차광성막(13)을 에칭하는 경우에, 실활 억제막(18)의 에칭 레이트가 화학 증폭형 레지스트막(20)의 에칭 레이트보다도 빠르다. |
