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<p>종래의 CVD 법으로 형성된 질화티타늄 막과 비교해서 양질인 질화티타늄 막을, ALD 법으로 형성된 질화티타늄 막과 비교해서 빠른 성막 속도로, 즉 높은 생산성에서 제공하는 것이 가능한 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있다. 본 발명은, 기판 상에 질소 함유 가스를 공급하는 공정; 상기 기판 상에 상기 질소 함유 가스를 공급하는 상태에서 상기 기판 상에 금속 함유 가스를 공급하는 공정; 상기 기판 상에 상기 질소 함유 가스를 공급하는 상태에서 상기 기판 상으로의 상기 금속 함유 가스의 공급을 정지하는 공정; 상기 기판 상으로의 상기 질소 함유 가스의 공급을 정지하고, 상기 기판 상에 잔류하는 상기 질소 함유 가스 및 상기 금속 함유 가스를 제거하는 공정; 상기 기판 상에 상기 질소 함유 가스를 공급하는 공정; 및 상기 기판 상으로의 상기 질소 함유 가스의 공급을 정지하고, 상기 기판 상에 잔류하는 상기 질소 함유 가스를 제거하는 공정;을 순서대로 수행하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.</p> |
