发明名称 | 通过结晶湿法蚀刻制备的片上衍射光栅 | ||
摘要 | 描述了形成微电子结构的方法。这些方法的实施例可包括:在(110)硅晶片衬底上形成光掩模,其中该光掩模包括平行四边形开口的周期性阵列,以及随后在所述(110)硅晶片衬底上进行时控湿法蚀刻以形成蚀刻进(110)硅晶片衬底中的衍射光栅结构。 | ||
申请公布号 | CN103477254A | 申请公布日期 | 2013.12.25 |
申请号 | CN201280016352.5 | 申请日期 | 2012.03.27 |
申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 那允中;J·赫克;荣海生 |
分类号 | G02B5/18(2006.01)I;G02B5/00(2006.01)I | 主分类号 | G02B5/18(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张欣 |
主权项 | 一种方法,包括:将湿蚀刻剂施加到(110)硅衬底,其中所述(110)硅衬底包括光掩模,所述光掩模包括平行四边形的周期性阵列;以及将衍射光栅结构形成于所述(110)硅衬底中,其中所述(110)硅衬底的{111}面在所述(110)硅衬底的蚀刻期间形成蚀刻阻挡层。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |