发明名称 |
包覆二维原子晶体的基材、其连续化生产线及方法 |
摘要 |
本发明涉及一种包覆二维原子晶体的基材、其连续化生产线及方法。所述包覆二维原子晶体的基材的连续化生产线包括依次连接的设有第一卷辊(11)的放卷室(1)、磁控溅射室(6)、电感耦合-化学气相沉积室(2)、冷却室(3)以及设有第二卷辊(41)的收卷室(4)。本发明提供的包覆二维原子晶体的基材的连续化生产线能够实现包覆二维原子晶体的基材的连续化生产,制备效率高,降低了包覆二维原子晶体的基材的生产成本,生产过程条件可控,工艺条件稳定,重复性高;制备得到的包覆二维原子晶体的基材抗腐蚀和抗机械冲击力得到提高。 |
申请公布号 |
CN103469203A |
申请公布日期 |
2013.12.25 |
申请号 |
CN201310390352.8 |
申请日期 |
2013.08.30 |
申请人 |
中国科学院过程工程研究所 |
发明人 |
王钰;陈运法 |
分类号 |
C23C28/00(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I |
主分类号 |
C23C28/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京品源专利代理有限公司 11332 |
代理人 |
巩克栋 |
主权项 |
一种包覆二维原子晶体的基材的连续化生产线,其特征在于,所述生产线包括依次连接的设有第一卷辊(11)的放卷室(1)、磁控溅射室(6)、电感耦合‑化学气相沉积室(2)、冷却室(3)以及设有第二卷辊(41)的收卷室(4);其中,所述第一卷辊(11)卷有待包覆二维原子晶体的基材(7),所述衬底由第一卷辊(11)放卷,并由第二卷辊(41)将制备得到的包覆二维原子晶体的基材(8)收卷;所述电感耦合‑化学气相沉积室(2)包括用于发生化学气相沉积的高温生长单元(21),以及与所述高温生长单元(21)连接,并向其提供等离子体的电感耦合线圈(22);所述电感耦合‑化学气相沉积室(2)具有进气口(23)和出气口(24)。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村北二条1号 |