| 发明名称 |
发光二极管的制备方法 |
| 摘要 |
本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：步骤a：提供一基底，该基底具有一外延生长面；步骤b：在基底的外延生长面依次外延生长一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；步骤c：形成一金属陶瓷层于所述第二半导体层远离基底的一侧；步骤d：去除所述基底，暴露出所述第一半导体层与基底接触的表面；以及步骤e：在所述第一半导体层暴露的表面制备一第一电极，制备一第二电极与所述第二半导体层电连接。本发明制备的发光二极管具有良好的光电转换效率。 |
| 申请公布号 |
CN103474522A |
申请公布日期 |
2013.12.25 |
| 申请号 |
CN201210185696.0 |
申请日期 |
2012.06.07 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
朱钧;张淏酥;朱振东;李群庆;金国藩;范守善 |
| 分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：步骤a：提供一基底，该基底具有一外延生长面；步骤b：在基底的外延生长面外延生长一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；步骤c：形成一金属陶瓷层于所述第二半导体层远离基底的一侧；步骤d：去除所述基底，暴露出所述第一半导体层与基底接触的表面；以及步骤e：在所述第一半导体层暴露的表面制备一第一电极，制备一第二电极与所述第二半导体层电连接。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
