发明名称 一种Ce:YAG多晶荧光体的制作方法
摘要 本发明公开了一种Ce:YAG多晶荧光体的制作方法,该晶体化学式为:(Y1-x-mAxCem)3(Al1-yBy)5O12;0≤x≤1,0≤y≤1,0≤m≤0.05;其中A为Lu、Tb、Pr、La、Gd中的一种;B为Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一种,包括以下步骤:将原料按化学式进行配比,混合均匀,压制成饼;在还原或惰性气氛下烧结成块,放入坩埚;采用感应加热或者电阻加热的方式,在还原或惰性气氛下对坩埚进行加热,使原料熔化,并让熔体在高于熔点50~100℃的条件下恒温2~10小时;按分段程序进行降温,得到Ce:YAG多晶荧光体。该Ce:YAG多晶荧光体具有良好的光学效率,生长速度快,成本低,是一种有前景的白光LED用荧光材料;多晶体在生长过程中不怕开裂,且生长要求低,周期短,可以极大降低生产成本,提高效益。
申请公布号 CN103468264A 申请公布日期 2013.12.25
申请号 CN201310369769.6 申请日期 2013.08.22
申请人 昆山开威电子有限公司 发明人 曹顿华;董永军;梁月山
分类号 C09K11/80(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;C30B29/28(2006.01)I 主分类号 C09K11/80(2006.01)I
代理机构 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 代理人 高文迪
主权项 一种Ce:YAG多晶荧光体的制作方法,该晶体化学式为: (Y1‑x‑mAxCem)3(Al1‑yBy)5O120≤x≤1,0≤y≤1,0≤m≤0.05 其中A为Lu、Tb、Pr、La、Gd中的一种;B为Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一种, 包括以下步骤: 1)将配比好的原料混合均匀,压制成饼; 2)在还原或惰性气氛下在1200~1400℃烧制料饼,烧制时间为10~20小时,烧结成块后放入坩埚; 3)采用感应加热或者电阻加热的方式,在还原或惰性气氛下对坩埚进行加热,加热至1970℃使原料熔化,在此基础上再升温50~100℃,让熔体在过热状态下恒温2~10小时,通过对流使原料充分混合均匀。 4)先把温度降至原料的熔点1970℃,然后按分段降温程序逐渐降温至室温,降温时间为10~20小时,冷却后得到Ce:YAG多晶荧光体。
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