| 发明名称 | 一种Pt/硅纳米阵列结构复合材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种Pt/硅纳米阵列结构复合材料及其制备方法。Pt/硅纳米阵列复合材料的Pt为簇状，硅纳米阵列为规则孔状或线状，Pt位于所述硅纳米阵列顶端。Pt/硅纳米阵列结构复合材料的制备方法是通过调整电化学参数控制材料的微观形貌结构，本发明提供一种多电位阶跃法沉积金属，加快了光生载流子的转移速率，减少缺陷的形成，提高了光电转化效率，增强了太阳能的利用率。 | ||
| 申请公布号 | CN103464146A | 申请公布日期 | 2013.12.25 |
| 申请号 | CN201310452381.2 | 申请日期 | 2013.09.29 |
| 申请人 | 重庆大学 | 发明人 | 乔雷;周明;张爱娟;李艳虹;邓娟;廖明佳;肖鹏;张云怀;张胜涛 |
| 分类号 | B01J23/42(2006.01)I;B01J37/34(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 主分类号 | B01J23/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种Pt/硅纳米阵列的复合材料，其特征在于，所述Pt为簇状，所述硅纳米阵列为规则孔状或线状，所述Pt位于所述硅纳米阵列顶端。 | ||
| 地址 | 400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号重庆大学化学化工学院 | ||