| 发明名称 | 四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体及其制备方法 | ||
| 摘要 | 四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体及其制备方法，它涉及一种铌酸钾钠基压电晶体及其制备方法。本发明要解决现有技术制备过程中铌酸钾钠基压电晶体生长困难、尺寸小的问题。四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体的化学式为[(K1-xNax)1-yLiy](Nb1-z-tTazSbt)O3，其中0.3<x<06，0.01<y<0.05，0.1<z<0.4，0<t<0.05；其制备过程为：一、称取原料，二、制备预烧合成的多晶粉体原料，三、多晶粉体原料放入晶体提拉炉中进行晶体生长，四、待退火晶体的多步降温，即得到四方相钙钛矿结构的四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体。本发明应用于功能性晶体材料研究领域。 | ||
| 申请公布号 | CN103469307A | 申请公布日期 | 2013.12.25 |
| 申请号 | CN201310459769.5 | 申请日期 | 2013.09.29 |
| 申请人 | 哈尔滨工业大学 | 发明人 | 郑立梅;王军军;霍晓青;王锐;桑士晶;杨彬;曹文武 |
| 分类号 | C30B29/30(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人 | 侯静 |
| 主权项 | 四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体，其特征在于四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体为四方相钙钛矿结构，其化学式为：[(K1‑xNax)1‑yLiy](Nb1‑z‑tTazSbt)O3，其中0.3<x<06，0.01<y<0.05，0.1<z<0.4，0<t<0.05。 | ||
| 地址 | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 | ||