发明名称 一种改进型温控电弧炉及制备半导体型单壁碳纳米管的方法
摘要 本发明涉及一种改进型温控电弧炉及制备半导体型单壁碳纳米管的方法,包括真空容器、可移动阴极、可转动阳极、电极给进系统和控温热电偶;其特征在于还包括和一对电极板;在真空容器的加热装置内部上下相对两侧设置一对电极板,在可转动阳极的转盘上可安装1~6根消耗阳极棒;所述消耗阳极棒孔内填充催化剂和高纯石墨粉;所述阴极为高纯石墨棒。本发明与现有技术的区别在于:传统制备半导体型或金属型单壁碳纳米管的方法大多数为后期将样品进行物理、化学分离,但其产量较低、过程繁琐且这些方法在分离的过程中易破坏单壁碳纳米管的结构。本发明采用内加电场的控温电弧炉,该反应容器能在不同温度和电场作用下生产出不同结构的单壁碳纳米管。
申请公布号 CN103466593A 申请公布日期 2013.12.25
申请号 CN201310379279.4 申请日期 2013.08.27
申请人 西北工业大学 发明人 赵廷凯;李铁虎;李光明;颜进;柳永宁
分类号 C01B31/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I 主分类号 C01B31/02(2006.01)I
代理机构 西北工业大学专利中心 61204 代理人 王鲜凯
主权项 一种改进型温控电弧炉,包括真空容器(1)、可移动阴极(2)、可转动阳极(5)、电极给进系统(3)和控温热电偶(4);其特征在于还包括和一对电极板(6);在真空容器(1)的加热装置内部上下相对两侧设置一对电极板,在可转动阳极(5)的转盘上可安装1~6根消耗阳极棒;所述消耗阳极棒孔内填充催化剂和高纯石墨粉;所述阴极为高纯石墨棒。
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