发明名称 |
电致发光装置及其制备方法 |
摘要 |
本发明实施例公开了一种电致发光装置及其制备方法,涉及显示领域,在保证薄膜晶体管与第二电极电连接可靠性的同时,还可使连接电极制备过程中的成膜时间缩短,刻蚀难度降低,从而提高生产效率。本发明提供的电致发光装置,包括:阵列基板;所述阵列基板包括:基板,依次设置于所述基板上的薄膜晶体管,覆盖于所述薄膜晶体管之上的保护层,以及设置在所述保护层之上的连接电极;所述连接电极下方的保护层向远离基板的一侧凸起,形成凸台;所述保护层在对应薄膜晶体管漏极的位置设置有保护层过孔,所述连接电极通过所述保护层过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。 |
申请公布号 |
CN103474453A |
申请公布日期 |
2013.12.25 |
申请号 |
CN201310436180.3 |
申请日期 |
2013.09.23 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
程鸿飞;张玉欣 |
分类号 |
H01L27/32(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/32(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种电致发光装置,包括:阵列基板;所述阵列基板包括:基板,依次设置于所述基板上的薄膜晶体管,覆盖于所述薄膜晶体管之上的保护层,以及设置在所述保护层之上的连接电极;其特征在于,所述连接电极下方的保护层向远离基板的一侧凸起,形成凸台;所述保护层在对应薄膜晶体管漏极的位置设置有保护层过孔,所述连接电极通过所述保护层过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |