发光二极管

摘要

本发明涉及一种发光二极管，其包括：一基底；一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面，且所述第一半导体层靠近基底设置，所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层构成一有源层；一金属等离子体产生层设置于所述第二半导体层远离基底的一侧；一第一光学对称层设置于所述金属等离子体产生层远离基底的一侧，所述第一光学对称层的折射率与有源层的整体的等效折射率之差小于等于0.3；一第二光学对称层设置于所述第一光学对称层远离基底的表面，所述第二光学对称层的折射率与基底之差小于等于0.1。所述发光二极管具有良好的出光率。

主权项

一种发光二极管，其包括：一基底；一有源层，该有源层包括一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面，且所述第一半导体层靠近基底设置；一第一电极与所述第一半导体层电连接；一第二电极与所述第二半导体层电连接；其特征在于：所述发光二极管进一步包括一金属等离子体产生层设置于所述第二半导体层远离基底的一侧；一第一光学对称层设置于所述金属等离子体产生层远离基底的一侧，所述第一光学对称层的折射率与有源层的整体的等效折射率之差小于等于0.3；一第二光学对称层设置于所述第一光学对称层远离基底的表面，所述第二光学对称层的折射率与基底的折射率之差小于等于0.1。