发明名称 新型多晶硅还原炉喷嘴
摘要 本发明是一种新型多晶硅还原炉喷嘴,主要通过在还原炉底盘进气口设置该喷嘴来调节炉内气体分布,能满足硅芯底部到横梁的进气需求,保持炉内气体分布均匀,在加快沉积速度的同时生成优质的多晶硅。该新型多晶硅还原炉喷嘴主要由喷嘴芯体、底盘、分布罩组成。所述喷嘴芯体通过焊接或螺纹安装在底盘的进气口上,所述分布罩安装在喷嘴芯体外侧上端。该喷嘴能实现对还原炉内进料气体的均匀分布,以及有效控制气体停留时间与流速,提高多晶硅的生长质量和生长速度。
申请公布号 CN103466627A 申请公布日期 2013.12.25
申请号 CN201310393615.0 申请日期 2013.09.02
申请人 上海森松压力容器有限公司 发明人 吴海龙;茅陆荣;沈刚;缪锦泉
分类号 C01B33/035(2006.01)I 主分类号 C01B33/035(2006.01)I
代理机构 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 代理人 马育麟
主权项 一种新型多晶硅还原炉喷嘴,包括喷嘴芯体(1)、底盘(2)和分布罩(3),其特征在于:所述喷嘴芯体(1)通过焊接或螺纹安装在底盘(2)的进气口上,所述喷嘴芯体(1)中心设有进气腔(1‑1),所述分布罩(3)通过螺纹或焊接安装在喷嘴芯体(1)外侧上端,所述分布罩(3)中心开有1个主喷气孔(3‑2)。
地址 200137 上海市浦东新区高翔环路562号第3幢