抵抗変化素子、および抵抗変化素子の製造方法

摘要

本発明は、抵抗変化素子を、半導体基板上の配線層内に設ける際、配線の寄生容量を低く維持したまま、信頼性の高い抵抗変化素子を提供する。本発明では、半導体基板上の配線層内に抵抗変化素子を設ける構造において、第一の層間絶縁膜と、第一の層間絶縁膜の上部に位置する第二の層間絶縁膜とを有し、第一の層間絶縁膜上に形成された、少なくとも電極および抵抗変化膜を具える抵抗変化素子を有し、抵抗変化素子の側面に保護絶縁膜が形成され、前記第一の層間絶縁膜と第二の層間絶縁膜とが直接接している構造を選択する。