发明名称 |
多孔金字塔减反射结构制备方法及HIT太阳能电池制备工艺 |
摘要 |
本发明公开了一种多孔金字塔减反射结构制备方法及HIT太阳能电池制备工艺,多孔金字塔减反射结构制备方法的步骤如下:1)对单晶硅衬底进行清洗制绒,使其表面形成金字塔结构的绒面;2)将具有所述金字塔结构的单晶硅衬底浸没在酸性溶液中进行处理;3)采用反应离子刻蚀方法对经过步骤2)处理的单晶硅衬底进行刻蚀,在金字塔结构上制备纳米结构,使经过步骤2)处理的单晶硅衬底表面形成多孔状金字塔结构;4)将经过步骤3)处理后的单晶硅衬底进行碱刻蚀,得到该太阳能电池表面的多孔金字塔减反射结构。本发明能够降低衬底的反射率,从而提高短路电流密度的同时提高了衬底的钝化效果,适当地提高了电池的开路电压,提高了电池的转换效率。 |
申请公布号 |
CN103474518A |
申请公布日期 |
2013.12.25 |
申请号 |
CN201310467811.8 |
申请日期 |
2013.10.10 |
申请人 |
常州天合光能有限公司 |
发明人 |
陆中丹;石建华 |
分类号 |
H01L31/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/20(2006.01)I |
代理机构 |
常州市科谊专利代理事务所 32225 |
代理人 |
孙彬 |
主权项 |
一种多孔金字塔减反射结构制备方法,其特征在于该方法的步骤如下:1)对单晶硅衬底进行清洗制绒,使其表面形成金字塔结构的绒面;2)将具有所述金字塔结构的单晶硅衬底浸没在酸性溶液中进行处理;3)采用反应离子刻蚀方法对经过步骤2)处理的单晶硅衬底进行刻蚀,在金字塔结构上制备纳米结构,使经过步骤2)处理的单晶硅衬底表面形成多孔状金字塔结构,并通过控制刻蚀的时间,控制多孔状金字塔结构的孔洞的尺寸大小;4)将经过步骤3)处理后的单晶硅衬底进行碱刻蚀,使多孔状金字塔结构的孔洞的尺寸大小控制在0.8~2微米,得到该太阳能电池表面的多孔金字塔减反射结构。 |
地址 |
213022 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |