发明名称 单相逆变器
摘要 本发明涉及一种单相逆变器,包括:第一场效应管Q1的漏极与第一二极管D1的阴极相连接,源极与D1的阳极连接;第二场效应管Q2的漏极与第二二极管D2的阴极连接,源极与D2的阳极相连接;第三场效应管Q3的漏极与第三二极管D3的阴极相连接,源极与D3的阳极连接;第四场效应管Q4的漏极与第四二极管D4的阴极连接,源极与D4的阳极相连接;还包括电源。本发明的单相逆变器利用SiC材料的耐高温特性使得逆变器可以在高温下减少甚至不需要冷却,SiC器件的快速开通和关断特性,逆变器可以高频工作,以及SiC的宽的禁带,SiC的器件可以在高压下工作。
申请公布号 CN103475253A 申请公布日期 2013.12.25
申请号 CN201310405214.2 申请日期 2013.09.06
申请人 西安电子科技大学 发明人 贾仁需;于海明;张艺蒙;宋庆文;闫宏丽
分类号 H02M7/5387(2007.01)I 主分类号 H02M7/5387(2007.01)I
代理机构 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 代理人 李楠;戴燕
主权项 一种单相逆变器,其特征在于,包括:第一场效应管Q1、第二场效应管Q2、第三场效应管Q3、第四场效应管Q4,以及第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3和第四二极管D4;所述第一场效应管Q1的漏极与所述第一二极管D1的阴极相连接,所述第一场效应管Q1的源极与所述第一二极管D1的阳极连接;所述第二场效应管Q2的漏极与所述第二二极管D2的阴极连接,所述第二场效应管Q2的源极与所述第二二极管D2的阳极相连接;所述第三场效应管Q3的漏极与所述第三二极管D3的阴极相连接,所述第三场效应管Q3的源极与所述第三二极管D3的阳极连接;所述第四场效应管Q4的漏极与所述第四二极管D4的阴极连接,所述第四场效应管Q4的源极与所述第四二极管D4的阳极相连接;所述单相逆变器还包括电源,所述第一场效应管Q1的漏极与第二场效应管Q2的漏极,所述第一二极管D1的阴极与第二二极管D2阴极与所述电源的正极相连接;所述第三场效应管Q3的源极与第四场效应管Q4的源极,所述第三二极管D3的阳极与第四二极管D4的阳极与电源的负极相连接;所述第一场效应管Q1的源极与所述第三场效应管Q3的漏极与外部负载的一端相连接;所述第二场效应管Q2的源极与所述第四场效应管Q4的漏极与所述外部负载的另一端相连接。
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