| 发明名称 | 有源电感/电容的切换电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种有源电感/电容的切换电路，包括第一NMOS晶体管，其源极连接第三电流源，漏极接电压源；第二NMOS晶体管，其漏极连接第二电流源及所述第一NMOS晶体管的栅极；第三NMOS晶体管，其漏极与所述第二NMOS晶体管的源极相连，栅极与所述第一NMOS晶体管的源极相连，源极接地；以及第四NMOS晶体管，其漏极与所述第二NMOS晶体管的栅极以及第一电流源相连，栅极与所述第三NMOS晶体管的源极相连，漏极接地，其中所述有源电感/电容的切换电路在其工作频率为低频时等效为有源电感，高频时等效为有源电容。 | ||
| 申请公布号 | CN103475358A | 申请公布日期 | 2013.12.25 |
| 申请号 | CN201310419753.1 | 申请日期 | 2013.09.13 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 李琛;杨森林;杨海玲 |
| 分类号 | H03K19/094(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/094(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;林彦之 |
| 主权项 | 一种有源电感/电容的切换电路，其特征在于，包括：第一NMOS晶体管，其源极连接第三电流源，漏极接电压源；第二NMOS晶体管，其漏极连接第二电流源及所述第一NMOS晶体管的栅极；第三NMOS晶体管，其漏极与所述第二NMOS晶体管的源极相连，栅极与所述第一NMOS晶体管的源极相连，源极接地；以及第四NMOS晶体管，其漏极与所述第二NMOS晶体管的栅极以及第一电流源相连，栅极与所述第三NMOS晶体管的源极相连，漏极接地，其中所述有源电感/电容的切换电路在其工作频率为低频时等效为有源电感，高频时等效为有源电容。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 | ||