一种隧穿结晶体硅太阳能电池的制作方法

摘要

本发明公开了一种隧穿结晶体硅太阳能电池的制作方法，该方法在清洗制绒后的p型晶体硅片的前表面沉积一层二氧化硅纳米颗粒膜，并在该二氧化硅纳米颗粒膜上制备ITO薄膜作为前电极；或者，在清洗制绒后的n型晶体硅片的背表面沉积一层二氧化硅纳米颗粒膜，并在该二氧化硅纳米颗粒膜表面制备一层ITO薄膜作为背电极。与现有的晶体硅太阳能电池的制作方法相比，本发明的方法简单易行，极大地简化了制作工艺，降低了制作成本，具有广阔的应用前景。

主权项

一种隧穿结晶体硅太阳能电池的制作方法，以p型晶体硅片或者n型晶体硅片为衬底，其特征是：采用PECVD技术，在沉积温度为0℃～200℃的条件下在清洗制绒后的p型晶体硅片的前表面沉积一层二氧化硅纳米颗粒膜，并在该二氧化硅纳米颗粒膜表面制备ITO薄膜作为前电极；或者，采用PECVD技术，在沉积温度为0℃～200℃的条件下，在清洗制绒后的n型晶体硅片的背表面沉积一层厚度为100～2000纳米的二氧化硅纳米颗粒膜，并在该二氧化硅纳米颗粒膜表面制备一层ITO薄膜作为背电极。