IGBT器件及其制备方法

摘要

本发明主要涉及功率半导体器件，尤其涉及一种沟槽式绝缘栅双极晶体管器件IGBT及其制备方法。由于在半导体衬底中形成了一个接触沟槽，其内部填充有掺杂的导电栓塞，所以导电栓塞自身的寄生电阻值可以进行调节，例如可适当降低了本体区至发射极之间的电阻值，从而抑制IGBT的闩锁效应。

主权项

一种IGBT器件，其特征在于，包括：一半导体衬底，包含第一导电类型的第一半导体层和位于第一半导体层之上的第二导电类型的第二半导体层，并在第二半导体层的顶部形成有第一导电类型的本体区，以及在本体区顶部形成有第二导电类型的掺杂区；形成在第二半导体层中的栅极沟槽和接触沟槽，在栅极沟槽底部和侧壁内衬有栅极氧化层及在栅极沟槽内形成有栅极，在接触沟槽内形成有导电栓塞；其中栅极沟槽、接触沟槽向下延伸贯穿掺杂区和本体区直至各自的底部延伸至本体区下方的第二半导体层中；覆盖在半导体衬底之上并带有开口的绝缘层，每个栅极沟槽及其栅极均被绝缘层覆盖住，开口交叠在接触沟槽之上并将接触沟槽顶部周围的掺杂区的顶面暴露在开口中；覆盖在绝缘层之上的一金属层，金属层的一部分填充在所述开口内籍此使金属层与导电栓塞、掺杂区电性连接。