利用数据有限寿命提高闪存芯片写入速度的方法、系统及其控制器

摘要

本发明公开了一种利用数据有限寿命利用数据有限寿命提高闪存芯片写入速度的方法，其中闪存包括多个闪存芯片，每一闪存芯片包括多个闪存页面，该方法包括步骤：实时监测闪存的可用存储空间的大小；当监测到当前闪存的可用存储空间大于预设的阈值时，将接收到的新的有效数据写入互不相邻的闪存页面内；当监测到当前闪存的可用存储空间小于预设的阈值时，将接收到的新的有效数据写入存有无效数据的闪存页面的相邻的闪存页面内。本发明还公开了一种闪存存储系统及其控制器。采用本发明实施例，能够有效地利用实际应用中数据寿命期存在较大差异的特性而提高数据写入速度，且实现过程简单、易行。

主权项

一种利用数据有限寿命提高闪存芯片写入速度的方法，其中闪存包括多个闪存芯片，每一闪存芯片包括多个闪存页面，其特征在于，该方法包括步骤：实时监测闪存的可用存储空间的大小，检测所述闪存页面的最差可能的噪音容限并根据所述最差可能的噪音容限设定当前的最大允许的数据写入速度；当监测到当前闪存的可用存储空间大于预设的阈值时，将接收到的新的有效数据写入互不相邻的闪存页面内，且写入数据的闪存页面之间隔着一个闪存页面；当监测到当前闪存的可用存储空间小于预设的阈值时，将接收到的新的有效数据写入存有无效数据的闪存页面的相邻的闪存页面内。