| 发明名称 | 修复介质层损伤的方法 | ||
| 摘要 | 一种修复介质层损伤的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成介质层，所述介质层的材料是低k介质材料或超低k介质材料，在所述介质层内形成互连结构，其中在形成互连结构的过程中产生介质层损伤；在等离子体处理室内通入包括He和H2的等离子体，对形成互连结构的衬底进行等离子体处理，以修复介质层损伤。本发明通过对受到低k损伤的介质层进行He/H2等离子体处理，可以提高介质材料的孔隙率，降低介质材料的k值，修复介质层损伤，从而减小RC延迟。 | ||
| 申请公布号 | CN103474342A | 申请公布日期 | 2013.12.25 |
| 申请号 | CN201210185018.4 | 申请日期 | 2012.06.06 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;胡敏达 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种修复介质层损伤的方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成介质层，所述介质层的材料是低k介质材料或超低k介质材料，在所述介质层内形成互连结构，其中在形成互连结构的过程中产生介质层损伤；在等离子体处理室内通入包括He和H2的等离子体，对形成了互连结构的衬底进行等离子体处理，以修复所述介质层损伤。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||