发明名称 |
温度稳定型高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种温度稳定型高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法,该微波介质陶瓷由80%~95%的BaNd2Ti4O12与5%~20%的Bi4B2O9组成。制备方法包括以下步骤:(1)将BaO、Nd2O3和TiO2混合制备BaNd2Ti4O12粉体;(2)将Bi2O3与B2O3或者Bi2O3与H3BO3混合制备Bi4B2O9粉体;(3)将BaNd2Ti4O12粉体与Bi4B2O9粉体混合制备温度稳定型高介电常数微波介质陶瓷。本发明的微波介质陶瓷具有高介电常数、低介电损耗、和接近于零谐振频率温度系数,制备方法工艺简单、操作方便。 |
申请公布号 |
CN103467097A |
申请公布日期 |
2013.12.25 |
申请号 |
CN201310384551.8 |
申请日期 |
2013.08.29 |
申请人 |
中国人民解放军国防科学技术大学 |
发明人 |
张为军;刘卓峰;白书欣;堵永国;陈兴宇 |
分类号 |
C04B35/50(2006.01)I;C04B35/462(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/50(2006.01)I |
代理机构 |
湖南兆弘专利事务所 43008 |
代理人 |
赵洪 |
主权项 |
一种温度稳定型高介电常数微波介质陶瓷,其特征在于,所述微波介质陶瓷由BaNd2Ti4O12与Bi4B2O9组成,其中BaNd2Ti4O12的质量分数为80%~95%,Bi4B2O9的质量分数为5%~20%。 |
地址 |
410073 湖南省长沙市德雅路109号 |