发明名称 |
薄膜发光二极管芯片和用于制造薄膜发光二极管芯片的方法 |
摘要 |
本发明涉及带有层堆叠(2)的一种薄膜发光二极管芯片(1),该层堆叠具有第一主辐射面(3)和相对的第二主辐射面(4),使得该薄膜发光二极管芯片(1)具有至少两个主辐射方向(5,6)。不仅在第一主辐射面(3)上而且在第二主辐射面(4)上设置措施(7,8)用于改善在层序列(2)中产生的光的输出耦合。此外,本发明涉及用于制造薄膜发光二极管芯片(1)的一种方法。 |
申请公布号 |
CN101601143B |
申请公布日期 |
2013.12.25 |
申请号 |
CN200880003476.3 |
申请日期 |
2008.01.22 |
申请人 |
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
发明人 |
S·赫尔曼 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
汤春龙;刘春元 |
主权项 |
一种带有层序列(2)的薄膜发光二极管芯片(1),该层序列具有第一主辐射面和相对的第二主辐射面(3,4),使得所述薄膜发光二极管芯片(1)具有至少两个相对的主辐射方向(5,6),及所述薄膜发光二极管芯片(1)在所述两个主辐射方向上发射光,其中,为了改善在所述层序列(2)中产生的光在所述两个主辐射面上的输出耦合,不仅在所述第一主辐射面而且在所述第二主辐射面(3,4)上设置措施,及其中,在所述薄膜发光二极管芯片的侧上都不存在衬底,并且在两个主发射方向上的辐射是对称的。 |
地址 |
德国雷根斯堡 |