| 发明名称 | 二维共轭萘并二呋喃基的半导体聚合物及其制备、用途 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种二维共轭萘并二呋喃基的半导体聚合物及其制备、用途；所述半导体聚合物的结构式如式(I)所示：<img file="DDA0000372736650000011.GIF" wi="521" he="265" />(I)，其中，50＞n＞1；本发明还涉及前述二维共轭萘并二呋喃基的半导体聚合物的制备方法以及其作为半导体有机层在聚合物太阳能电池测试中的用途。本发明披露的合成方法简单有效，得到的目标聚合物分子量分布较窄；本发明的二维共轭萘并二呋喃基的半导体聚合物主链具有刚性平面的大π共轭体系，材料可溶液加工处理，且具有较低的能带隙，可以应用于光伏器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103467712A | 申请公布日期 | 2013.12.25 |
| 申请号 | CN201310379968.5 | 申请日期 | 2013.08.27 |
| 申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 李树岗;张清;邓平;李胜夏 |
| 分类号 | C08G61/12(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I | 主分类号 | C08G61/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人 | 牛山;陈少凌 |
| 主权项 | 1.一种二维共轭萘并二呋喃基的半导体聚合物，其特征在于，所述半导体聚合物的结构式如式(I)所示：<img file="FDA0000372736620000011.GIF" wi="521" he="265" />(I)，其中50＞n＞1。 | ||
| 地址 | 200240 上海市闵行区东川路800号 | ||