制作高均匀度栅极线条的方法

摘要

一种制作高均匀度栅极线条的方法，包括：在衬底硅片上依次直接沉积多晶硅薄膜，然后依次直接涂布旋涂碳薄膜、和含硅硬薄膜、以及第一光刻胶；执行曝光和显影以便在第一光刻胶膜中形成第一栅极线条的结构；在第一光刻胶上涂布含有硫醇类化合物的固化材料，交联固化第一光刻胶中第一栅极线条的结构，加热使固化材料与第一光刻胶表面反应形成不溶于第二光刻胶的隔离膜；在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶；在第二光刻胶膜中形成第一线端切割图形；以第二光刻胶膜为掩模，刻蚀隔离膜和第一栅极线条，形成第二线端切割图形；以剩余的隔离膜和第一栅极线条为掩模，继续依次刻蚀含硅硬薄膜、旋涂碳薄膜、和多晶硅薄膜，形成第二栅极线条的结构。

主权项

一种制作高均匀度栅极线条的方法，其特征在于包括：第一步骤：在衬底硅片上依次直接沉积多晶硅薄膜，然后依次直接涂布旋涂碳薄膜以及第一光刻胶；第二步骤：执行曝光和显影以便在第一光刻胶膜中形成第一栅极线条的结构；第三步骤：在与第二步骤的显影过程相同的同一显影机台内，在第一光刻胶上涂布含有硫醇类化合物的固化材料，交联固化第一光刻胶中第一栅极线条的结构，加热使固化材料与第一光刻胶表面反应形成不溶于第二光刻胶的隔离膜；第四步骤：在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶；第五步骤：执行曝光和显影以便在第二光刻胶膜中形成第一线端切割图形；第六步骤：以第二光刻胶膜为掩模，刻蚀隔离膜和第一栅极线条，形成第二线端切割图形；第七步骤：以剩余的隔离膜和第一栅极线条为掩模，继续依次刻蚀旋涂碳薄膜、和多晶硅薄膜，并去除残余的旋涂碳薄膜，最终在多晶硅薄膜层形成第二栅极线条的结构。