功率半导体装置

摘要

提供一绝缘栅双极装置(1)，其在发射极侧(22)上的发射极电极(2)和的集电极侧(27)上的集电极电极(25)之间具有按如下顺序的不同导电型的层：第一导电型的源极区(3)，与接触区域(24)中的发射极电极(2)接触的第二导电型的基极层(4)，第一导电型的增强层(8)，具有补偿层厚度tp(92)的第二导电型的浮动补偿层(9)，具有比增强层(8)低的掺杂浓度的第一导电型的漂移层(5)，和第二导电型的集电极层(6)。补偿层(9)设置在增强层(8)和漂移层(5)之间的接触区域(24)的投影中，从而在增强层(8)和漂移层(5)之间保持沟道。增强层(8)具有增强层厚度tn(82)，其在与补偿层厚度(92)相同的平面内测量，且应用如下规则：Nptp＝kNntn，其中Nn和Np分别是增强层和补偿层的掺杂浓度，以及k是在0.67和1.5之间的因子。

主权项

一种具有栅电极的绝缘栅双极装置(1)，所述装置包括有源单元，其在发射极侧(22)上的发射极电极(2)和与所述发射极侧(22)相对的集电极侧(27)上的集电极电极(25)之间具有按如下顺序的不同导电型的层：第一导电型的源极区(3)，与接触区域(24)中的所述发射极电极(2)接触的第二导电型的基极层(4)，具有高掺杂浓度的所述第一导电型的增强层(8)，具有比所述增强层(8)低的掺杂浓度的所述第一导电型的漂移层(5)，所述第二导电型的集电极层(6)，其中所述栅电极设置在所述发射极侧(22)上，并且其中所述增强层(8)将所述基极层(4)与所述漂移层(5)分离，其特征在于所述第二导电型的补偿层(9)设置于所述增强层(8)和所述漂移层(5)之间，其具有补偿层厚度tp(92)，所述补偿层厚度tp(92)是在垂直于所述发射极侧(22)的平面内所述补偿层(9)的最大厚度，所述补偿层(9)设置在所述增强层(8)和所述漂移层(5)之间的所述接触区域(24)的投影中，使得在所述增强层(8)和所述漂移层(5)之间保持沟道，所述补偿层(9)没有连接到所述基极层(4)，所述补偿层(9)没有延伸到所述接触区域(24)的投影以外的区域中，所述增强层(8)具有增强层厚度tn(82)，其在与所述补偿层厚度(92)相同的平面内测量，Nptp＝kNntn，其中Nn是所述增强层的掺杂浓度；其中Np是所述补偿层的所述掺杂浓度；以及k是在0.67和1.5之间的因子。