| 发明名称 | 一种发光二极管外延片发光层 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种发光二极管外延片发光层，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），所述MQW发光层（5）包括16个由InGaN层（51）、GaN层（52）构成的层单元（53）叠加构成，本实用新型有效解决传统外延片的发光层厚度较薄，从而导致发光二极管的亮度差的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN203367343U | 申请公布日期 | 2013.12.25 |
| 申请号 | CN201320492902.2 | 申请日期 | 2013.08.14 |
| 申请人 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 | 发明人 | 芦玲;张向飞;钱仁海;刘坚 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I |
| 代理机构 | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人 | 谢观素 |
| 主权项 | 一种发光二极管外延片发光层，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、N—SLS层（4）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述MQW发光层（5）包括16个由InGaN层（51）、GaN层（52）构成的层单元（53）叠加构成。 | ||
| 地址 | 223001 江苏省淮安市清河新区景秀路6号 | ||