发明名称 光电子半导体芯片
摘要 提出一种光电子半导体芯片,所述光电子半导体芯片具有半导体层序列(2)和载体衬底(10),其中第一电接触层(7)和第二电接触层(8)至少局部地设置在载体衬底(10)和半导体层序列(2)之间并且通过电绝缘层(9)彼此电绝缘,并且所述光电子半导体芯片具有设置在半导体层序列(2)和载体衬底(10)之间的镜层(6)。半导体芯片(1)具有透明的封装层(13),所述封装层覆盖半导体层序列(2)的侧面(26)、镜层(6)的侧面(16)和电绝缘层(9)的朝向半导体芯片(1)的侧面(15)的侧面(19)。
申请公布号 CN103477452A 申请公布日期 2013.12.25
申请号 CN201280017284.4 申请日期 2012.03.15
申请人 欧司朗光电半导体有限公司 发明人 卢茨·赫佩尔
分类号 H01L33/00(2006.01)I;H01L33/38(2006.01)I;H01L33/40(2006.01)I;H01L33/44(2006.01)I;H01L33/20(2006.01)I;H01L33/22(2006.01)I;H01L33/54(2006.01)I;H01L33/56(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 张春水;田军锋
主权项 一种光电子半导体芯片(1),包括:‑半导体层序列(2),其具有第一导电类型的第一半导体区域(3)、第二导电类型的第二半导体区域(5)以及设置在所述第一半导体区域(3)和所述第二半导体区域(5)之间的有源区(4),‑载体衬底(10),其中所述半导体层序列(2)具有朝向所述载体衬底(10)的第一主面(11)和相对置的第二主面(12),‑第一电接触层(7)和第二电接触层(8),所述第一电接触层和所述第二电接触层至少局部地设置在所述载体衬底(10)和所述半导体层序列(2)的所述第一主面(11)之间,其中所述第二电接触层(8)穿过所述第一半导体区域(3)和所述有源区(4)中的穿通口(18)被引入到所述第二半导体区域(5)中,‑电绝缘层(9),所述电绝缘层将所述第一电接触层(7)和所述第二电接触层(8)彼此电绝缘,‑镜层(6),所述镜层设置在所述半导体层序列(2)和所述载体衬底(10)之间,以及‑透明的封装层(13),所述透明的封装层覆盖所述半导体层序列(2)的侧面(26)、所述镜层(6)的侧面(16)和所述电绝缘层(9)的朝向所述半导体芯片(1)的侧面(15)的侧面(19)。
地址 德国雷根斯堡