发光二极管

摘要

本发明涉及一种发光二极管，其包括：第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面，且所述第一半导体层靠近基底设置，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接，进一步包括：一第一光学对称层设置于第二半导体层远离活性层的表面；一金属等离子体产生层设置于所述第一光学对称层远离活性层的表面；一第二光学对称层设置于所述金属等离子体产生层远离活性层的表面;所述第二光学对称层的等效折射率n1，与所述基底、第一半导体层、一活性层、一第二半导体层以及第二光学对称层的等效折射率n2的差值∆n大于等于0小于等于0.5，其中∆n=|n1-n2|。

主权项

1.一种发光二极管，其包括：一基底、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极，所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面，且所述第一半导体层靠近基底设置，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接，其特征在于：所述发光二极管进一步包括：一第一光学对称层设置于第二半导体层远离活性层的表面，一金属等离子体产生层设置于所述第一光学对称层远离活性层的表面，一第二光学对称层设置于所述金属等离子体产生层远离活性层的表面，所述第二光学对称层的等效折射率n₁，与所述基底、第一半导体层、一活性层、一第二半导体层以及第二光学对称层的等效折射率n₂的差值∆n大于等于0小于等于0.5，其中∆n=|n₁-n₂|。