| 发明名称 | 一种双等离子体离子源及设备 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种双等离子体离子源及设备，该双等离子体离子源的中间电极的锥形的一端的顶部设有多个中间电极孔，该多个中间电极孔的半径位于0.2mm-0.3mm范围内，其圆心位于以该中间电极的锥形的一端的顶部中心为圆心、半径为0.5mm的圆上。采用本实用新型提供的方案，能够提高产生的离子束的亮度。 | ||
| 申请公布号 | CN203367222U | 申请公布日期 | 2013.12.25 |
| 申请号 | CN201320353540.9 | 申请日期 | 2013.06.19 |
| 申请人 | 中国地质科学院地质研究所 | 发明人 | 龙涛;曾小辉;王培智;包泽民;陶强;范润龙 |
| 分类号 | H01J49/10(2006.01)I | 主分类号 | H01J49/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 郭润湘 |
| 主权项 | 一种双等离子体离子源，其特征在于，所述双等离子体离子源的中间电极的锥形的一端的顶部设有多个中间电极孔，所述多个中间电极孔的半径位于0.2mm‑0.3mm范围内，其圆心位于以所述中间电极的锥形的一端的顶部中心为圆心、半径为0.5mm的圆上。 | ||
| 地址 | 100037 北京市西城区百万庄大街26号 | ||