| 发明名称 | 半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体基板、和半导体基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。 | ||
| 申请公布号 | CN103474354A | 申请公布日期 | 2013.12.25 |
| 申请号 | CN201310343762.7 | 申请日期 | 2009.11.27 |
| 申请人 | 住友化学株式会社;国立大学法人东京大学;独立行政法人产业技术综合研究所;独立行政法人物质·材料研究机构 | 发明人 | 秦雅彦;福原升;山田永;高木信一;杉山正和;竹中充;安田哲二;宫田典幸;板谷太郎;石井裕之;大竹晃浩;奈良纯 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具备，3‑5族化合物半导体，其具有闪锌矿型的结晶结构；绝缘性材料，其接触于所述3‑5族化合物半导体的(111)面、与所述(111)面等效的面、或具有从所述(111)面或与所述(111)面等效的面倾斜的倾斜角的面；以及MIS型电极，其接触于所述绝缘性材料且含有金属传导性材料；所述绝缘性材料包含：含Al且具有闪锌矿型的结晶结构的3‑5族化合物半导体，或含Al且具有闪锌矿型的结晶结构的3‑5族化合物半导体的氧化物。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||