发明名称 具有高功能动态性的CMOS有源像素
摘要 本发明涉及一种CMOS型有源像素结构(1),包括:至少一个光电二极管(10),其特征在于,还包括用于读取曝光时光电二极管(10)的演化阶段中的任何偏置电压的装置。
申请公布号 CN101796810B 申请公布日期 2013.12.25
申请号 CN200880104195.7 申请日期 2008.08.27
申请人 新成像技术公司 发明人 Y·尼
分类号 H04N5/374(2011.01)I 主分类号 H04N5/374(2011.01)I
代理机构 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人 程伟;王锦阳
主权项 一种CMOS型有源像素装置(1),包括:‑至少一个光电二极管(10),‑用于在曝光期间读取构成光电二极管(10)的时间相关变化范围的两个主要区域的线性区域和对数区域的任何极性的电压的装置,其中如果光强度相对为低,在曝光期结束时,光电二极管保持反偏压,光电二极管上的电压为正,因此,光电二极管正工作在线性区域中,并且其中如果相反地光非常强烈,在曝光期结束时,光电二极管将完全放电,而光电二极管上的电压此时变为负,并且与光强度的对数成比例,因此,光电二极管工作在对数区域,用于读取电压的该装置包括缓冲放大器(30),该缓冲放大器(30)包括读取晶体管(T2)和充电晶体管(T3),其特征在于,有源像素装置(1)还包括电容性耦合电容器(50),该耦合电容器(50)串联在光电二极管(10)和缓冲放大器(30)之间。
地址 法国埃弗里