发明名称 |
光电转换装置及光电转换装置的制造方法 |
摘要 |
本发明的目的之一在于谋求同时实现光电转换装置的高效化和生产性的提高。一种光电转换装置,包括具有半导体结的单元,该单元包括:一种导电型的第一杂质半导体层;与一种导电型相反的导电型的第二杂质半导体层;以及在非晶结构中包括贯穿第一杂质半导体层和第二杂质半导体层之间的结晶区的半导体层。将稀释气体的流量比设定为半导体材料气体的1倍以上且低于10倍,优选设定为1倍以上且6倍以下而引入到反应空间生成等离子体来形成包括结晶区的半导体层。 |
申请公布号 |
CN101593778B |
申请公布日期 |
2013.12.25 |
申请号 |
CN200910203857.2 |
申请日期 |
2009.05.20 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平 |
分类号 |
H01L31/04(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0376(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/04(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
屠长存 |
主权项 |
一种光电装换装置,包括:衬底上的包括第一杂质元素的第一半导体层;所述第一半导体层上的包括第一非晶层和多个第一结晶的第二半导体层;所述第二半导体层上的包括第二杂质元素的第三半导体层;所述第三半导体层上的包括第三杂质元素的第四半导体层;所述第四半导体层上的包括第二非晶层和多个第二结晶的第五半导体层;以及所述第五半导体层上的包括第四杂质元素的第六半导体层,其中,所有所述多个第一结晶贯穿所述第一半导体层和所述第三半导体层之间,并且与所述第一半导体层和所述第三半导体层接触,其中,所有所述多个第二结晶贯穿所述第四半导体层和所述第六半导体层之间,并且与所述第四半导体层和所述第六半导体层接触,其中所述多个第一结晶的体积在所述第二半导体层的体积中所占的比例小于所述多个第二结晶的体积在所述第五半导体层的体积中所占的比例,以及其中光从所述第一半导体层侧进入。 |
地址 |
日本神奈川 |