形成电子束光刻用抗蚀剂下层膜的组合物

摘要

本发明的课题在于提供在使用电子束光刻的器件制作工序中所使用的、对于降低由电子束产生的不良影响、获得良好的抗蚀剂图案有效的电子束光刻用抗蚀剂下层膜组合物，和提供使用该电子束光刻用抗蚀剂下层膜组合物的抗蚀剂图案形成方法。本发明的解决手段在于：包含具有含有卤原子的重复单元结构的高分子化合物和溶剂的形成电子束光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其在基板上的形成转印图案的加工对象膜与电子束光刻用抗蚀剂膜之间成膜而使用，用于半导体器件制造。所述高分子化合物至少含有10质量％的卤原子。

主权项

1.一种形成半导体器件制造的电子束光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含具有含有卤原子的重复单元结构的高分子化合物和溶剂，所述高分子化合物是下述(e)表示的化合物，式中，Ar²和Ar³不相同，分别为苯基、萘基或蒽基，该苯基、萘基和蒽基可以用羟基、卤原子或者羟基与卤原子这两者来任意取代，q和r分别表示1以上的整数且q+r表示2至3000的整数，n表示0至3的整数，该化合物，在含有取代基Ar²的重复单元中含有至少1个卤原子，或在含有取代基Ar³的重复单元中含有至少1个卤原子，或在含有取代基Ar²的重复单元中和含有取代基Ar³的重复单元中的两方各含有至少1个卤原子。