提高三维场效应晶体管驱动电流的方法

摘要

本发明提供一种提高三维场效应晶体管驱动电流的方法，包括在半导体衬底中形成NMOS区域和PMOS区域以及接触孔，接触孔的形成包括：在完成半导体器件前道工艺后，在整个半导体衬底上沉积金属前介质层；在金属前介质层中形成第一种接触孔结构，并填入第一种金属填充物，经化学机械抛光后形成第一种接触孔；然后在金属前介质层中形成第二种接触孔结构，并填入第二种金属填充物，经化学机械抛光后形成第二种接触孔；由于分别在第一接触孔结构和第二接触孔结构中填充了不同的金属填充物，从而能够同时提高NMOS沟道和PMOS沟道的应力，进一步提高器件的载流子迁移率和驱动电流。

主权项

一种提高三维场效应晶体管驱动电流的方法，包括在半导体衬底中形成NMOS区域和PMOS区域以及接触孔，其特征在于，所述接触孔的形成包括：步骤S01：在所述整个半导体衬底上沉积金属前介质层；步骤S02：在所述金属前介质层中形成第一种接触孔结构，并填充第一种金属填充物，形成第一种接触孔；步骤S03：然后，在所述金属前介质层中形成第二种接触孔结构，并填充第二种金属填充物，形成第二种接触孔；其中，所述第一种接触孔为提高NMOS区域沟道应力的NMOS接触孔，所述第一种金属填充物为提高NMOS区域沟道应力的材料，所述第二种接触孔为提高PMOS区域沟道应力的PMOS接触孔，所述第二种金属填充物为提高PMOS区域沟道应力的材料；或者，所述第一种接触孔为提高PMOS区域沟道应力的PMOS接触孔，所述第一种金属填充物为提高PMOS区域沟道应力的材料，所述第二种接触孔为提高NMOS区域沟道应力的NMOS接触孔，所述第二种金属填充物为提高NMOS区域沟道应力的材料。