| 发明名称 | 一种检测氟化聚酰亚胺薄膜耐表面放电性的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种检测氟化聚酰亚胺薄膜耐表面放电性的方法，它通过，利用卤族元素强的氧化性，采用氟气对聚酰亚胺薄膜系列产品进行表面氟化处理，替换薄膜表面一层分子结构中C-H结构上的氢原子，形成一层均匀分布的C-F结构。此层能够有效阻止表面和空间电荷的积累，抑制局部放电的发生，从而显著提高其耐电晕时间。 | ||
| 申请公布号 | CN103467767A | 申请公布日期 | 2013.12.25 |
| 申请号 | CN201310406651.6 | 申请日期 | 2013.09.06 |
| 申请人 | 天津学子电力设备科技有限公司 | 发明人 | 杜伯学;杜恒;杜伟 |
| 分类号 | C08J7/12(2006.01)I;C08L79/08(2006.01)I;G01R31/12(2006.01)I | 主分类号 | C08J7/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 本发明专利涉及一种检测氟化聚酰亚胺薄膜耐表面放电性的方法，它包括：1.本发明通过利用卤族元素强的氧化性，采用卤族元素气体氟气对聚酰亚胺薄膜系列产品进行表面氟化，替换薄膜表面一层分子结构中C-H结构上的氢原子，形成一层均匀分布的C-F结构。此层能够有效阻止表面和空间电荷的积累，抑制局部放电的发生，从而显著提高其耐电晕时间。 | ||
| 地址 | 300072 天津市滨海新区汉沽后坨里26号楼1门201室 | ||