一种半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件，包括，半导体基体，所述半导体基体位于绝缘层上；绝缘基体，所述绝缘基体位于所述绝缘层上并嵌于所述半导体基体中，所述绝缘基体以其具有的应力作用于所述半导体基体。一种半导体器件的形成方法，包括：在绝缘层上形成半导体基底；在所述半导体基底内形成空腔，所述空腔暴露所述绝缘层；在所述空腔中形成绝缘基体，所述绝缘基体以其具有的应力作用于所述半导体基底。利于减小短沟道效应、源漏区电阻及寄生电容。

主权项

一种半导体器件，包括，半导体基体，所述半导体基体位于绝缘层上；源漏区，所述源漏区接于所述半导体基体中相对的第一侧面；栅极，所述栅极位于所述半导体基体中相对的第二侧面上；其特征在于，还包括：绝缘基体，所述绝缘基体位于所述绝缘层上并嵌于所述半导体基体中，所述绝缘基体以其具有的应力作用于所述半导体基体；所述绝缘基体在PMOS器件中具有拉应力，在NMOS器件中具有压应力。